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Si4421DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.025
0.020
0.015
V GS = 1.8 V
10 000
8000
6000
C iss
0.010
V GS = 2.5 V
4000
0.005
V GS = 4.5 V
2000
C oss
C rss
0.000
0
0
8
16
24
32
40
0
2
4
6
8
10
12
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
1.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
5
4
3
2
1
0
I D = 14 A
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I D = 14 A
0
21
42
63
84
105
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.030
0.024
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 14 A
10
T J = 150 °C
0.018
T J = 25 °C
0.012
1
0.006
0.1
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72114
S-82282-Rev. C, 22-Sep-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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